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产品分类
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产品信息
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFB3206PBF
描述
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
标准包装 FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 4V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（ 值） 170nC @ 10V
Vgs（ 值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 6540pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（ 值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-350包装 管件 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET